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IMBG65R026M2H 是一款650V，碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管，采用 D2PAK-7（TO-263-7）封裝。

產品詳情：

型號：IMBG65R026M2H

封裝：PG-TO263-7

類型：碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管

IMBG65R026M2H 產品屬性：

系列：CoolSiC?

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：68A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 34.5A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 7mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1499 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：263W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-7-12

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

IMBG65R026M2H 應用：

儲能系統(tǒng) 

電動汽車充電 

固態(tài)斷路器 

單相串聯(lián)逆變器解決方案 

開關模式電源（SMPS） 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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