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IMDQ75R060M2H是（Infineon）推出的 CoolSiC? MOSFET，屬于750V第二代產(chǎn)品，采用 Q-DPAK 封裝，具備低導(dǎo)通電阻（60mΩ）和高效散熱設(shè)計。 ?

關(guān)鍵參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：840 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：56 毫歐 @ 13.8A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：20 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：716 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：128W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-HDSOP-22

應(yīng)用領(lǐng)域

IMDQ75R060M2H適用于固態(tài)繼電器、隔離器、電動汽車充電、光伏系統(tǒng)等領(lǐng)域，可滿足工業(yè)級高效、緊湊型系統(tǒng)需求。

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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