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IMDQ75R025M2H是（Infineon）推出的一款CoolSiC? 750V G2碳化硅MOSFET，其設計具有高效率，能強力防止單極柵極驅動的寄生導通，以及具有可靠性。這款CoolSiC? 750V G2 MOSFET改進了柵極控制，使得最大漏-源導通電阻在25 m?以下，讓開關損耗也尤為突出。

主要規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：840 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：70A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：22 毫歐 @ 36.7A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 8.1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：49 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1729 pF @ 500 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：272W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HDSOP-22

目標應用

IMDQ75R025M2H適用于以下應用領域：

? 固態(tài)繼電器和斷路器

? 電動汽車充電基礎設施

? 太陽能光伏逆變器和 UPS

? 儲能和電池化成

? 電信和服務器 SMPS

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