商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
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AIMDQ75R016M2H是(Infineon)推出的第二代碳化硅MOSFET,具有改進(jìn)的開關(guān)性能、更低的損耗和增強(qiáng)的熱管理。與第 1 代產(chǎn)品相比,開關(guān)速度提高了 25%,品質(zhì)因數(shù)提高了 35%,為汽車應(yīng)用提供了更高效、更緊湊、更可靠的系統(tǒng)。
關(guān)鍵參數(shù)
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):840 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):103A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):14 毫歐 @ 55.8A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.6V @ 12.3mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):74 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+23V,-7V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2577 pF @ 500 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):394W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22
技術(shù)優(yōu)勢
?開關(guān)速度?:比第一代提升25%
?熱管理?:采用 Q-DPAK 封裝技術(shù) ,優(yōu)化散熱性能
?可靠性?:100%雪崩測試驗(yàn)證
應(yīng)用場景
AIMDQ75R016M2H適用于新能源汽車、工業(yè)電源等高電壓、高效率場景,可提升系統(tǒng)整體能效并降低組件溫度。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S29GL01GT11FHIV10 是一款高性能的 NOR 閃存存儲(chǔ)器,由英飛凌生產(chǎn)。電話咨詢:86-755-83294757
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