商品名稱:IMYH200R012M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMYH200R012M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMYH200R012M1H采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000 V 12 mΩ SiC MOSFET旨在提供更高的功率密度,即使在苛刻的高電壓和開關(guān)頻率條件下也不影響系統(tǒng)的可靠性。CoolSiC?技術(shù)的低功率損耗提供了更高的可靠性,這要?dú)w功于2000 V優(yōu)化封裝中的.XT互連技術(shù),在組串逆變器、太陽(yáng)能優(yōu)化器、電動(dòng)汽車充電和儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了最高效率。
特征描述
VDSS = 2000 V,用于高達(dá)1500 VDC的高直流鏈路系統(tǒng)
非常低的開關(guān)損耗
創(chuàng)新的HCC封裝,具有14毫米的爬電距離和5.5毫米的間隙距離
基準(zhǔn)柵極閾值電壓,VGS(th) = 4.5 V
用于硬換向的穩(wěn)健體二極管
.XT互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)了同類最佳的熱性能
改進(jìn)的濕度穩(wěn)健性
優(yōu)勢(shì)
高功率密度
卓越的可靠性
最高的效率
易于設(shè)計(jì)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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S25FL256SAGBHIC00 是一款高性能的 256Mbit NOR 閃存存儲(chǔ)器,由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)。該存儲(chǔ)器采用 3.0V CMOS 技術(shù),支持 SPI、雙線 SPI 和四線 SPI 接口,適用于多種嵌入式應(yīng)用。核心特性(S25FL256SAGBHIC00)高性能存儲(chǔ)架構(gòu)存儲(chǔ)容量:256Mb(32M 8),支持 SPI、…S70GL02GS12FHIV10
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S29GL01GT11FHIV10 是一款高性能的 NOR 閃存存儲(chǔ)器,由英飛凌生產(chǎn)。電話咨詢:86-755-83294757
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