商品名稱:IMBG65R048M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMBG65R048M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMBG65R048M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝,基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù),適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能,縮減尺寸,增強可靠性。
特征描述
低 Qrr 和 Qoss
低開關(guān)損耗
換向穩(wěn)健型快速體二極管
先進(jìn)溝槽技術(shù)帶來出色的柵極氧化物可靠性
采用 .XT 互連技術(shù),實現(xiàn)卓越的熱性能
雪崩能力更強
SMD 封裝,可直接集成至 PCB
用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳
優(yōu)勢
高性能、高可靠性且易于使用
高系統(tǒng)效率和高功率密度
降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜度
打造成本更低、結(jié)構(gòu)更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)
采用連續(xù)硬換向拓?fù)?/span>
適于高溫和惡劣的工作環(huán)境
實現(xiàn)雙向拓?fù)?/span>
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信
開關(guān)電源 (SMPS)
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動汽車充電
電機(jī)驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S29GL01GT11FHIV10 是一款高性能的 NOR 閃存存儲器,由英飛凌生產(chǎn)。電話咨詢:86-755-83294757
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