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IMBG120R060M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 60 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合，可在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率和被動(dòng)制冷。

特征描述

極低的開關(guān)損耗

短路能力：3 μs

dV/dt完全可控

柵極閾值電壓典型值：VGS(th) = 4.5 V

出色的抗寄生導(dǎo)通能力，能夠?qū)崿F(xiàn)0V關(guān)斷

牢固的體二極管，可用于硬開關(guān)

.XT互聯(lián)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm

Sense引腳，優(yōu)化了開關(guān)性能

IMBG120R060M1H 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PG-TO263-7

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:36 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:83 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.7 V

Qg-柵極電荷:34 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:181 W

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:CoolSiC

系列:Trench/Fieldstop IGBT4 - E4

配置:Single

下降時(shí)間:9.8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:7 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:4.8 ns

工廠包裝數(shù)量:  1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns

典型接通延遲時(shí)間:8.9 ns

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。