商品名稱:IMZ120R220M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMZ120R220M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMZ120R220M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、220 mΩ CoolSiC? MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝,該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化,兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅(Si)基開(kāi)關(guān)相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì),例如1200V級(jí)開(kāi)關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、 獨(dú)立于溫度的低開(kāi)關(guān)損耗以及無(wú)閾值導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
特征描述
一流的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,簡(jiǎn)單輕松地進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)
柵源電壓范圍寬
損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向
開(kāi)關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響
驅(qū)動(dòng)源引腳,優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能
優(yōu)勢(shì)
最高效率
減少了冷卻工作
提高了操作頻率
增加了功率密度
降低了系統(tǒng)的復(fù)雜程度
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電動(dòng)汽車快速充電
太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…PXE1610CPN-G003
PXE1610CPN-G003是一款 企業(yè)級(jí)數(shù)字電源控制器,采用 QFN-48-EP(66mm)封裝,主要面向 服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算設(shè)備 的電源管理需求。TLE9560-3QX
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S25FL256SAGBHIC00 是一款高性能的 256Mbit NOR 閃存存儲(chǔ)器,由 Infineon(英飛凌)生產(chǎn)。該存儲(chǔ)器采用 3.0V CMOS 技術(shù),支持 SPI、雙線 SPI 和四線 SPI 接口,適用于多種嵌入式應(yīng)用。核心特性(S25FL256SAGBHIC00)高性能存儲(chǔ)架構(gòu)存儲(chǔ)容量:256Mb(32M 8),支持 SPI、…S70GL02GS12FHIV10
S70GL02GS12FHIV10 是一款 2Gb(256M 8 / 128M 16)并行NOR閃存,采用 64-FBGA封裝(1113mm),適用于高可靠性嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用。S29GL01GT11FHIV10
S29GL01GT11FHIV10 是一款高性能的 NOR 閃存存儲(chǔ)器,由英飛凌生產(chǎn)。電話咨詢:86-755-83294757
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