商品名稱：IMZA65R039M1H
數(shù)據(jù)手冊：
IMZA65R039M1H.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：12250 件
IMZA65R039M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導體技術，并經(jīng)過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應用中實現(xiàn)最低損耗，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。
英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，可降低源極寄生電感對門極電路的影響，從而加快開關速度，提高效率。
特征描述
低電容
更高電流下經(jīng)過優(yōu)化的開關行為
具有低反向恢復電荷 (Qrr) 的整流穩(wěn)健快速體二極管
卓越的門極氧化可靠性
出色的熱性能
更高的雪崩耐量
可使用標準驅(qū)動程序
4 引腳封裝
潛在應用
服務器
電信系統(tǒng)
SMPS
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池信息
UPS
電動汽車充電
電機驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S29GL01GT11FHIV10 是一款高性能的 NOR 閃存存儲器，由英飛凌生產(chǎn)。電話咨詢：86-755-83294757
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