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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:AIMDQ75R027M1H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:24+

封裝:HDSOP-22

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
AIMDQ75R027M1H
封裝
HDSOP-22
描述
碳化硅 MOSFET 汽車類 N 通道 750 V 64A(Tj) 273W(Tc) PG-HDSOP-22

產(chǎn)品描述

AIMDQ75R027M1H是一款采用PG-HDSOP-22 封裝的汽車類、750 V、64A碳化硅MOSFET分立器件。該MOSFET適用于汽車應(yīng)用,例如車載充電器/PFC、輔助逆變器和不間斷電源(UPS)。


Infineon CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運行中的最高可靠性。


規(guī)格

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC

漏源電壓(Vdss):750 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):64A(Tj)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):25 毫歐 @ 24.5A,20V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 8.8mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):49 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+23V,-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1668 pF @ 500 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):273W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級:汽車級

資質(zhì):AEC-Q101

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22


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品牌

封裝

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描述

IMDQ75R025M2H

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IMDQ75R007M2H

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PG-HDSOP-22

2000

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PG-HDSOP-22

2000

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PG-HDSOP-22

2000

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AIMDQ75R025M2H

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PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC? 汽車級 MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,25 mΩ

AIMDQ75R060M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC? 汽車級 MOSFET 750 V G2,采用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝,60 mΩ

IMZ120R060M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

G2R1000MT33J

Navitas

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LSIC1MO120G0025

Littelfuse

TO-247-4

2000

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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