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【IPB035N12NM6】120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET，正常電平，采用 D2PAK 3 引腳封裝。

說明：

IPB035N12NM6 是 D2PAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET，導(dǎo)通電阻為 3.5 mOhm。IPB035N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

IPB035N12NM6 規(guī)格參數(shù)：

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-通道

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 138 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.6 V

Qg-柵極電荷: 58 nC

最小工作溫度: - 55℃

最大工作溫度: + 175℃

Pd-功率耗散: 246 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 12.8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 14.1 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 24.1 ns

典型接通延遲時間: 15.5 ns

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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