商品名稱:N 溝道功率 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IPW60R024CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反向恢復電荷(Qrr)比 CFD7 低 3%,并且具有市場上最低的反向恢復時間(trr)。
IPW60R024CM8的特點
業(yè)界領先的R DS(on)*A
顯著降低損耗
卓越的換向耐受性
集成快速體二極管
.XT互聯(lián)
靜電放電(ESD)保護
IPW60R024CM8的優(yōu)勢
提升功率密度
易于使用和快速設計集成
低振鈴傾向
簡化的熱管理
簡化的產品組合
IPW60R024CM8的應用
數(shù)據中心、AI服務器、電信電源供應
微型和住宅混合逆變器
便攜式和住宅能源存儲、UPS
電動汽車充電、輕型電動車輛、電動叉車
高壓固態(tài)電力分配
家用及專業(yè)工具
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IMSQ120R012M2HH
IMSQ120R012M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,12 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IMSQ120R040M2HH
IMSQ120R040M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,40 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IMSQ120R026M2HH
IMSQ120R026M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,26 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R055CM8
IPW60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反…IPZA60R055CM8
IPZA60R055CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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