商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO263-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
IPB048N15N5LF(N-通道功率MOSFET):150V,OptiMOS ?5 線性 FET 晶體管,PG-TO263-3
產(chǎn)品詳情:
型號(hào):IPB048N15N5LF
封裝:PG-TO263-3
類(lèi)型:N-通道功率MOSFET
說(shuō)明:OptiMOS ?線性 FET 是一種革命性的方法,可以避免導(dǎo)通電阻 (R DS(on)) 和線性模式能力之間的權(quán)衡——在增強(qiáng)模式 MOSFET 的飽和區(qū)內(nèi)運(yùn)行。它提供了溝槽 MOSFET 的最先進(jìn)的 R DS(on) 以及經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)。
IPB048N15N5LF 產(chǎn)品屬性:
系列:OptiMOS? 5
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.8 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.9V @ 255μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):84 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):380 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):313W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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