TP65H150BG4JSG是一款650V、150mΩ的 氮化鎵 （GaN）場效應晶體管 （FET），采用 瑞薩電子（Renesas）的 Gen IV 平臺設計，屬于常閉型器件。其核心采用高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET的組合技術，顯著提升了效率與可靠性。核心參數(shù)FET 類型：N 通道技術：GaNFET（氮化鎵）漏…
TP65H150BG4JSG是一款650V、150mΩ的 氮化鎵 （GaN）場效應晶體管 （FET），采用 瑞薩電子（Renesas）的 Gen IV 平臺設計，屬于常閉型器件。其核心采用高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET的組合技術，顯著提升了效率與可靠性。
核心參數(shù)
FET 類型：N 通道
技術：GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 10A，6V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 500μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：4.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：400 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：83W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝：8-PQFN（5x6）
詳情
TP65H150BG4JSG 650V 150mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。它結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術，提供卓越的可靠性和性能。
瑞薩電子 GaN 通過更低的柵極電荷、更低的交越損耗和更小的反向恢復電荷，提供比硅更高的效率。
TP65H150BG4JSG采用行業(yè)標準的 PQFN56 封裝，具有通用的源封裝配置。
關鍵特性
符合 JEDEC 標準的 GaN 技術
Dynamic RDS（on）eff 經(jīng)過生產測試
堅固的設計，定義
固有壽命測試
寬柵極安全裕度
瞬態(tài)過壓能力
非常低的 QRR
減少分頻損耗
符合 RoHS 標準和無鹵素包裝
支持 AC-DC 和 DC-DC 設計
提高功率密度
減小系統(tǒng)尺寸和重量
總體降低系統(tǒng)成本
在硬開關和軟開關電路中實現(xiàn)更高的效率
使用常用柵極驅動器易于驅動
應用場景
消費領域
電源適配器
低功耗 SMPS
照明系統(tǒng)
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