商品名稱:GaN FET
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:8-PQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
TP65H150BG4JSG 是 Renesas公司生產(chǎn)的一款650V SuperGaN GaN FET,采用 PQFN56封裝 ,具備低導(dǎo)通電阻(150mΩ)和動(dòng)態(tài)RDS(on)特性。TP65H150BG4JSG基于 Gen IV技術(shù)平臺(tái) ,結(jié)合高壓GaN HEMT 與 低壓硅MOSFET ,具備高效率、低交越損耗和低反向恢復(fù)電荷(QRR)等優(yōu)勢(shì)。
技術(shù)規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):16A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):180 毫歐 @ 10A,6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.8V @ 500μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):4.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):400 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):83W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:8-PQFN(5x6)
此外,TP65H150BG4JSG目標(biāo)應(yīng)用場(chǎng)景包括消費(fèi)領(lǐng)域、電源適配器、低功耗 SMPS和照明系統(tǒng)等。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
ISL95810UART8Z-T
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