最新資訊LMK61E0M-SIAR是一款具有內(nèi)部 EEPROM 的 LVCMOS 超低抖動(dòng)可編程振蕩器?，主要用于需要高精度和低抖動(dòng)性能的應(yīng)用場景。其具備以下主要特征超低噪聲、高性能抖動(dòng)：500fs RMS 典型值（在 LMK61E0M上，fOUT > 50 MHz）LMK61E0M-SIAR支持高達(dá) 200MHz 的 3.3V LVCMOS輸出總…
LMK61E0M-SIAR是一款具有內(nèi)部 EEPROM 的 LVCMOS 超低抖動(dòng)可編程振蕩器?，主要用于需要高精度和低抖動(dòng)性能的應(yīng)用場景。
其具備以下主要特征
超低噪聲、高性能
抖動(dòng)：500fs RMS 典型值（在 LMK61E0M上，fOUT > 50 MHz）
LMK61E0M-SIAR支持高達(dá) 200MHz 的 3.3V LVCMOS輸出
總頻率容差：±25ppm
系統(tǒng)級 特性
無毛刺頻率裕量：與標(biāo)稱值相差最多±1000ppm
內(nèi)部 EEPROM：用戶可配置的啟動(dòng)設(shè)置
其他特性
– 器件控制：快速模式 I2C 高達(dá) 1000kHz
– 3.3V 工作電壓
– 工業(yè)溫度范圍（-40oC 至 +85oC）
– 7mm × 5mm 8 引腳封裝
默認(rèn)頻率：70.656MHz
產(chǎn)品詳情
LMK61E0M-SIAR 超低抖動(dòng)振蕩器是可生成常用參考時(shí)鐘的高性能振蕩器。每臺器件都在工廠預(yù)編程設(shè)置，以支持任何參考時(shí)鐘頻率；受支持的輸出格式包括 LVPECL（高達(dá) 1GHz）、LVDS（高達(dá) 900MHz ）以及 HCSL（高達(dá) 400MHz ）。內(nèi)部功率調(diào)節(jié)提供出色的電源紋波抑制比 (PSRR)，降低了電力輸送網(wǎng)絡(luò)的成本和復(fù)雜性。LMK61E0M-SIAR在3.3V±5%的單電源下工作?；谝陨咸匦裕沟?a href="http://m.hsagingcenter.org.cn/goods/show-90414.html" target="_self" style="white-space: normal;">LMK61E0M-SIAR器件成為晶體、SAW或硅基振蕩器理想的高性能替代產(chǎn)品。
應(yīng)用領(lǐng)域
LMK61E0M-SIAR適用于各種需要高精度和低抖動(dòng)性能的電子設(shè)備，包括但不限于：
? 晶體振蕩器、SAW 振蕩器或芯片振蕩器的高性能替代產(chǎn)品
? 開關(guān)、路由器、網(wǎng)卡、基帶裝置 (BBU)、服務(wù)器、存儲(chǔ)/SAN
? 測試和測量
? 醫(yī)療成像
? FPGA，處理器連接
? xDSL，廣播視頻
LMK61E0M-SIAR的性能參數(shù)
類型：時(shí)鐘發(fā)生器
PLL：無
輸入：-
輸出：LVCMOS
電路數(shù)：1
比率 - 輸入:輸出：0:5
差分 - 輸入:輸出：無/無
頻率 - 最大值：200MHz
分頻器/倍頻器：無/是
電壓 - 供電：1.71V ~ 1.89V，2.375V ~ 2.625V，3.135V ~ 3.465V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：16-TFQFN
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時(shí)間：2025-06-19
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