商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TO247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1500 件
IPW65R018CM8是(Infineon)推出的650V CoolMOS? 8 代超結(jié)(SJ)MOSFET,屬于第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。以下是其核心參數(shù):
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):116A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):18 毫歐 @ 55.6A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.7V @ 1.48mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):173 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8290 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):521W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
適用場景
功率因數(shù)校正(PFC)?:適用于高功率密度PFC電路設(shè)計
LLC諧振轉(zhuǎn)換器:在高頻開關(guān)場景下表現(xiàn)穩(wěn)定
電動汽車充電:支持快速充放電需求
固態(tài)斷路器(SSCB)?:提供額外的浪涌保護(hù)
IPW65R018CM8采用 XT互連技術(shù) ,簡化設(shè)計流程,并具備低噪聲特性,適合對電磁兼容性要求高的場景。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號:IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計,實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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