CY62157GE30-45BVXI 是一款帶嵌入式 ECC 的高性能 CMOS 低功耗 (MoBL) SRAM 器件。
通過將兩個芯片使能輸入（CE1 為低電平，CE2 為高電平）置位來訪問器件。
CY62157GE30-45BVXI 的特性
超低待機功耗
典型待機電流：1.4 μA
最大待機電流：6.5 μA
高速：45 毫微秒
用于單位糾錯的嵌入式糾錯碼 (ECC)
工作電壓范圍：2.2 V 至 3.6 V
1.0 V 數據保持
晶體管-晶體管邏輯 (TTL) 兼容輸入和輸出
提供無鉛 48 球 VFBGA 和 44 引腳 TSOP II 封裝
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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