商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-165
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
CY7C2644KV18-333BZXI 是 1.8 V 同步流水線 SRAM,采用 QDR II+ 架構(gòu)。
CY7C2644KV18-333BZXI 的特性
獨(dú)立的讀寫(xiě)數(shù)據(jù)端口
支持并發(fā)事務(wù)
250 MHz 高帶寬時(shí)鐘
雙字突發(fā)可降低地址總線頻率
讀寫(xiě)端口上的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 接口(數(shù)據(jù)傳輸速率為 500 MHz),頻率為 250 MHz
提供 2.0 個(gè)時(shí)鐘周期的延遲
兩個(gè)輸入時(shí)鐘,用于精確的 DDR 時(shí)序
SRAM 僅使用上升沿
回波時(shí)鐘簡(jiǎn)化了高速系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)捕獲
數(shù)據(jù)有效引腳 (QVLD) 在輸出端指示有效數(shù)據(jù)
片上終止 (ODT) 功能
單多路復(fù)用地址輸入總線鎖存讀寫(xiě)端口的地址輸入
用于深度擴(kuò)展的獨(dú)立端口選擇
當(dāng) DOFF 為高電平時(shí),四倍數(shù)據(jù)速率 II+ 的讀取延遲為 2.0 個(gè)周期
操作類似于 QDR I 器件,當(dāng) DOFF 為低電平時(shí),讀取延遲為一個(gè)周期
核心 VDD = 1.8 V± 0.1 V;I/O VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持 1.5 V 和 1.8 V I/O 電源
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 輸入和可變驅(qū)動(dòng) HSTL 輸出緩沖器
以 165 球 CCGA(21 × 25 × 2.83 毫米)提供
兼容 JTAG 1149.1 的測(cè)試訪問(wèn)端口
鎖相環(huán) (PLL),用于準(zhǔn)確放置數(shù)據(jù)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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