商品名稱:IGBT 單管
數(shù)據(jù)手冊(cè):STGWA40H65DFB.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:10000 件
STGWA40H65DFB是先進(jìn)的溝槽柵極場(chǎng)致停結(jié)構(gòu)的進(jìn)化版。專有溝槽柵極場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的演進(jìn)。HB2 系列的性能由于在低電流值時(shí)具有更好的 VCE(飽和)特性,因此在傳導(dǎo)方面的性能得到了優(yōu)化。值時(shí)具有更好的 VCE(飽和)性能,同時(shí)還降低了開(kāi)關(guān)能量。快速軟恢復(fù)二極管與 IGBT 反并聯(lián)封裝。因此,該產(chǎn)品專為廣泛的快速應(yīng)用而設(shè)計(jì),可最大限度地提高效率。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):72 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):160 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
功率 - 最大值:230 W
開(kāi)關(guān)能量:765μJ(開(kāi)),410μJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:153 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:18ns/72ns
測(cè)試條件:400V,40A,4.7 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):75 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-247 長(zhǎng)引線
應(yīng)用
● 焊接
● 功率因數(shù)校正
● 不間斷電源
● 太陽(yáng)能逆變器
● 充電器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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LIS3MDLTR
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STB120NF10T4是意法半導(dǎo)體推出的 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,屬于 STripFET? II 系列,采用 TO-263-3(D2PAK)封裝,適用于高電流、高耐壓 應(yīng)用場(chǎng)景。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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