FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：
配置：Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
集電極—射極飽和電壓：1.9 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：80 A
Pd-功率耗散：115 W
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 175 C
系列：FGAF40N60SMD
封裝 / 箱體：TO-3PF
安裝風格：Through Hole
柵極—射極漏泄電流：400 nA
產品類型：IGBT Transistors
單位重量：7 g
應用領域
FGAF40N60SMD適用于需要高電壓、大電流處理的電路，常見于工業(yè)控制、電機驅動、電源管理等領域。由于其高效率和穩(wěn)定性，它被廣泛應用于各種需要高效能量轉換的電子設備中?。
型號
品牌
封裝
數量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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