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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

不限 Apple ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel ADI Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel ?XTX Würth YITOA Ai-Thinker NANYA FUJITSU OSRAM ASPEED Diotec SONIX Astera WeEn LUXNET I-CHIPS Lontium NationalChip Azoteq Centec UltraSense ESMT Chrontel All Sensors MStar Quantenna NVIDIA POCO SK hynix Starpower Alliance Knowles SMARTsemi CEVA OMNIVISION ScioSense Lantronix SemiQ Kinetic Axelite GENESYS ICPlus UNISOC Littelfuse Lite-On APCE NIKO-SEM NICHTEK TXC WILLSEMI AMAZING PANJIT MACOM Hosonic Asmedia HUAWEI GaN Systems COSEL SkyHigh ATP Swissbit JL Bluetrum Motorcomm SEQUANS Wolfspeed Kingston Sensirion JAE KIOXIA SGMICRO United Chemi-Con I-PEX HIROSE Amphenol NOVOSENSE Mini-Circuits NICHICON MBI SOUTHCHIP WUQI Sinopower Rockchip ESPRESSIF MTK AOS VICOR MaxLinear NWATT SHINKO SHIMADEN Pushtechs Appotech Actions SiTime Richwave SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

IMBG120R090M1HXTMA1

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R090M1H

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1H

產(chǎn)品說(shuō)明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R039M1HXTMA1

產(chǎn)品說(shuō)明：SMD緊湊型封裝SiC MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1HXKSA1

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R014M1H

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO247-4封裝的1200V 14mΩ CoolSiCTM 溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
240
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1HXTMA1

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R220M1H

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-263-7封裝的1200 V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1LAUMA1

產(chǎn)品說(shuō)明：CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-21
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F100A1L

產(chǎn)品說(shuō)明：CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 單通道 600V 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-21
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1LAUMA1

產(chǎn)品說(shuō)明：600V CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-28
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F1414A1L

產(chǎn)品說(shuō)明：600V CoolGaN? 集成功率級(jí) (IPS) 可提供高密度、高效率的解決方案

封裝：QFN-28
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF800R12KE7

產(chǎn)品說(shuō)明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM

封裝：MODULE
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
AUIRF8739L2TR

產(chǎn)品說(shuō)明：采用 DirectFET L8 封裝的 40V 汽車單 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

封裝：DirectFET-L8
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPT012N08N5

產(chǎn)品說(shuō)明：表面貼裝型 N 通道 80 V 300A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1

封裝：HSOF-8
10起
8000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TLE9263BQX

產(chǎn)品說(shuō)明：汽車級(jí) 接口 PG-VQFN-48-31

封裝：VQFN48
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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