商品名稱:IMBG65R039M1HXTMA1
數(shù)據(jù)手冊:IMBG65R039M1HXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)通過最大限度發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,從而增強(qiáng)了器件性能、穩(wěn)健性和易用性等獨(dú)特優(yōu)勢。IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝,基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù),適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能,縮減尺寸,增強(qiáng)可靠性。
特征描述
低 Qrr 和 Qoss
低開關(guān)損耗
換向穩(wěn)健型快速體二極管
先進(jìn)溝槽技術(shù)帶來出色的柵極氧化物可靠性
采用 .XT 互連技術(shù),實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能
雪崩能力更強(qiáng)
SMD 封裝,可直接集成至 PCB
用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信
開關(guān)電源 (SMPS)
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動汽車充電
電機(jī)驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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