韓國首爾，2024年8月29日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）29日宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級…
韓國首爾，2024年8月29日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）29日宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。
SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！?/span>
公司以1b DRAM平臺擴展的方式開發(fā)了1c工藝。SK海力士技術團隊認為，由此不僅可以減少工藝高度化過程中可能發(fā)生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業(yè)界內(nèi)以最高性能DRAM受到認可的SK海力士1b工藝優(yōu)勢轉移到1c工藝。
而且，SK海力士在部分EUV工藝中開發(fā)并適用了新材料，也在整個工藝中針對EUV適用工藝進行了優(yōu)化，由此確保了成本競爭力。與此同時，在1c工藝上也進行了設計技術革新，與前一代1b工藝相比，其生產(chǎn)率提高了30%以上。
此次1c DDR5 DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。隨著AI時代的到來，數(shù)據(jù)中心的耗電量在繼續(xù)增加，如果運營云服務的全球客戶將SK海力士1c DRAM采用到數(shù)據(jù)中心，公司預測其電費最高能減少30%。
SK海力士DRAM開發(fā)擔當副社長金鍾煥表示：“1c工藝技術兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖偁幜?，公司將其應用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進DRAM主力產(chǎn)品群，由此為客戶提供差別化的價值。今后公司也將堅守DRAM市場的領導力，鞏固最受客戶信賴的AI用存儲器解決方案企業(yè)的地位?！?/span>
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