產品簡介Qorvo QPD2060D 600m 分立式GaAs pHEMT(假晶高電子遷移率晶體管)的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下,8的輸出功率為2dBm(P1dB時),增益為12dB,功率附加效率為55%(1dB壓縮時)。得益于該性能,QPD2060D適合用于高效率應用。QPD2060D設計采用0.25m功率…
產品簡介
Qorvo QPD2060D 600μm 分立式GaAs pHEMT(假晶高電子遷移率晶體管)的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下,8的輸出功率為2dBm(P1dB時),增益為12dB,功率附加效率為55%(1dB壓縮時)。得益于該性能,QPD2060D適合用于高效率應用。
QPD2060D設計采用0.25μm功率pHEMT生產工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過先進的技術優(yōu)化微波功率和效率。
QPD2060D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護層,可提供環(huán)境穩(wěn)健性和防刮痕保護。
產品特征
頻率范圍:直流至20GHz
P1dB輸出功率:28dBm(典型值)
增益:12dB(12GHz時典型值)
PAE:55%(12GHz時典型值)
噪聲系數:1.4dB(12GHz時典型值)
漏極電壓:8V
漏極電流:97mA
0.25μm GaAs pHEMT技術
裸片尺寸:0.41mm x 0.34mm x 0.10mm
無鹵、無鉛、符合RoHS指令
產品應用:
? 通信
? 雷達
? 點對點無線電
? 衛(wèi)星通信
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