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深圳市明佳達電子有限公司 供應 英飛凌 IPA60R060P7 CoolMOS? P7 N溝道功率MOSFET晶體管

深圳市明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，原裝供應Infineon IPA60R060P7 CoolMOS? P7 N溝道功率MOSFET晶體管。這款MOSFET采用先進的第7代超結(jié)（SJ）技術(shù)，為高性能開關(guān)電源應用提供了理想的解決方案。

【IPA60R060P7產(chǎn)品概述】

IPA60R060P7是一款N溝道功率MOSFET，采用TO-220-3通孔封裝。該器件具有600V的漏源電壓（Vdss） 和48A的連續(xù)漏極電流（@25°C）。

IPA60R060P7其導通電阻（RDS（on））最大值為60mΩ（在10V驅(qū)動電壓和15.9A測試條件下），這一低導通電阻有效降低了傳導損耗，提升了系統(tǒng)效率。

IPA60R060P7的柵極電荷（Qg）僅為67nC（@10V），輸入電容（Ciss）為2895pF（@400V）。低柵極電荷和電容值意味著更低的開關(guān)損耗和驅(qū)動需求，使其在高頻開關(guān)應用中表現(xiàn)優(yōu)異。

IPA60R060P7支持最大±20V的柵源電壓（Vgs），閾值電壓（Vgs（th））范圍為3V-4V（典型值3.5V）。工作結(jié)溫范圍寬廣，從-55°C到150°C，適用于各種環(huán)境條件下的應用。

【CoolMOS? P7技術(shù)優(yōu)勢】

英飛凌CoolMOS? P7是600V CoolMOS? P6系列的后續(xù)產(chǎn)品，它在設(shè)計過程中完美平衡了高效率與易用性。

第7代CoolMOS?平臺具有同類產(chǎn)品中較為出色的RonxA和固有低柵極電荷（QG），這確保了系統(tǒng)的高效率。與前代產(chǎn)品和競爭對手相比，其柵極電荷Qg和Eoss降低了30-60%，從而顯著降低了驅(qū)動損耗和開關(guān)損耗。

【IPA60R060P7技術(shù)優(yōu)勢】

IPA60R060P7集成了ESD二極管（從180mΩ起且高于RDS（on）s）和柵極電阻器（RG），這增強了器件的穩(wěn)健性。集成的RG降低了MOSFET對振蕩的敏感性，有助于避免ESD故障，提高了制造環(huán)境中的易用性。

IPA60R060P7 MOSFET采用了堅硬的體二極管設(shè)計，在LLC拓撲體二極管換向中表現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)健性。它適用于PFC和LLC等硬開關(guān)拓撲和諧振開關(guān)拓撲。

1. 高效率表現(xiàn)

IPA60R060P7具有優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），包括RDS(on) x Eoss和RDS(on) x QG。這些優(yōu)化指標直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率，特別是在高頻開關(guān)應用中。

2. 增強的易用性

IPA60R060P7集成了多項功能，大幅提高了設(shè)計易用性：

集成ESD保護二極管：從180mN起且高于RDS(on)s的型號都配備了集成ESD二極管，避免了制造環(huán)境中的ESD故障。

集成柵極電阻器（RG）：降低了MOSFET對振蕩的敏感度。

堅固的體二極管：使MOSFET適用于PFC和LLC等硬開關(guān)拓撲和諧振開關(guān)拓撲，在LLC拓撲中體二極管通信中具有優(yōu)異穩(wěn)健性。

3. 熱性能與可靠性

IPA60R060P7具有優(yōu)異的熱性能，最大功率耗散能力達到164W（Tc=25°C）。其工作結(jié)溫范圍寬廣（-55°C至150°C），適合各種環(huán)境條件下的應用。

【IPA60R060P7 應用領(lǐng)域】

IPA60R060P7適用于多種電源應用場景，包括但不限于：

電視電源：為液晶和等離子電視提供高效功率轉(zhuǎn)換。

工業(yè)SMPS（開關(guān)模式電源）：用于工業(yè)領(lǐng)域的電源系統(tǒng)。

服務器和通信設(shè)備電源：滿足數(shù)據(jù)中心和通信基礎(chǔ)設(shè)施的高效電源需求。

照明系統(tǒng)：包括各類高效照明設(shè)備的電源設(shè)計。

適配器和充電器：適用于多種設(shè)備的電源適配和充電裝置。

IPA60R060P7也廣泛用于PC Silverbox、UPS（不間斷電源）、太陽能應用、小型輕型電動車、直流電動汽車（EV）充電等場景。

IPA60R060P7廣泛的適用性和出色的性能使其成為消費類和工業(yè)類應用的理想選擇。