意法半導體功率MOSFET STW58N60DM2AG 產品介紹：STW58N60DM2AG 是一款汽車級 N 溝道功率 MOSFET，屬于意法半導體的 MDmesh? DM2 系列。該器件具有 600V 的耐壓能力和 50A 的連續(xù)漏極電流，采用 TO-247 封裝。它專為汽車應用設計，符合 AEC-Q101 標準。產品特性高耐壓與大…
意法半導體功率MOSFET STW58N60DM2AG 產品介紹：
STW58N60DM2AG 是一款汽車級 N 溝道功率 MOSFET，屬于意法半導體的 MDmesh? DM2 系列。該器件具有 600V 的耐壓能力和 50A 的連續(xù)漏極電流，采用 TO-247 封裝。它專為汽車應用設計，符合 AEC-Q101 標準。
產品特性
高耐壓與大電流：600V 耐壓，50A 連續(xù)漏極電流
低導通電阻：典型值為 0.052Ω，有助于降低功耗，提高系統(tǒng)效率
快速恢復體二極管：具備低恢復電荷（Qrr）和時間（trr），適合高效率轉換器
高開關效率：極低的柵極電荷和輸入電容，可實現(xiàn)快速開關
高可靠性：100% 雪崩測試
極高的 dv/dt 耐用性
齊納保護
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
產品規(guī)格
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 60 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 90 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
應用領域
STW58N60DM2AG 適用于多種高效率轉換器和汽車電子應用，包括：
電動汽車：用于電機驅動和電源管理系統(tǒng)。
高效率轉換器：如橋式拓撲和 ZVS 相移轉換器。
汽車電子：符合 AEC-Q101 標準，適用于汽車級應用。
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