最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半橋模塊NXH020P120MNF1PG的產(chǎn)品說(shuō)明NXH020P120MNF1PG 是碳化硅 MOSFET 模塊，在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 歐姆 1200V 碳化硅 MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的規(guī)格技術(shù)： 碳化硅 安…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半橋模塊
NXH020P120MNF1PG的產(chǎn)品說(shuō)明
NXH020P120MNF1PG 是碳化硅 MOSFET 模塊，在 F1 模塊中包含一個(gè) 20 歐姆 1200V 碳化硅 MOSFET 半橋和一個(gè) NTC 熱敏電阻。
NXH020P120MNF1PG 的規(guī)格
技術(shù)： 碳化硅
安裝方式：壓裝 壓入式
封裝/外殼 模塊
晶體管極性 N 溝道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：1.2 kV
Id - 持續(xù)漏極電流：51 A
Rds On - 漏極-源極電阻： 30 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓：- 15 V，+ 25 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：1.8 V
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度 + 150 C
Pd - 功率耗散：211 W
下降時(shí)間：8.4 毫微秒
上升時(shí)間：8.8 ns
典型延遲時(shí)間：8.4 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：105 ns
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：44 ns
NXH020P120MNF1PG 的特點(diǎn)
20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋
熱敏電阻
帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項(xiàng)
壓配引腳
NXH020P120MNF1PG 的終端產(chǎn)品
電動(dòng)汽車充電器
儲(chǔ)能系統(tǒng)
三相太陽(yáng)能逆變器
不間斷電源
NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用
太陽(yáng)能逆變器
不間斷電源
電動(dòng)汽車充電站
工業(yè)電源
時(shí)間：2025-06-13
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