AON7934 一款雙N溝道MOSFET陣列，采用緊湊型封裝，具有低導通電阻和邏輯電平門極驅動特性，非常適合需要高效率電源管理和功率轉換的應用。
AON7934 核心規(guī)格參數：
核心功能：雙N溝道MOSFET陣列 (半橋配置)
安裝類型：表面貼裝
封裝形式：8-DFN-EP (3x3) 裸露焊盤 (也有稱作WDFN-8或QFN8(3X3))
漏源電壓 (Vdss)：30V
連續(xù)漏極電流 (Id)：13A, 15A (不同通道，@25°C) 或 16A
導通電阻 (Rds(on))：10.2mΩ @ 13A, 10V
柵極閾值電壓 (Vgs(th))：2.2V @ 250μA
柵極電荷 (Qg)：11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)：485pF @ 15V
最大功耗 (Pd)：2.5W
工作結溫 (Tj)：-55°C ~ 150°C
FET 特性：邏輯電平門極 (Logic Level Gate)
AON7934 特性
低導通電阻：僅為 10.2mΩ，有助于減少功率損耗并提高整體效率。
快速開關能力：柵極電荷僅為 11nC，確保快速開關。
高電流承載能力：在 25°C 時，連續(xù)漏極電流可達 13A 至 15A。
小型封裝：采用 DFN-8（3x3mm）封裝，適合空間受限的應用。
環(huán)保合規(guī)：無鉛（Pb-Free）和 RoHS 合規(guī)。
AON7934 的這些特性使其在電源管理、電機控制和消費電子等多個領域表現出色。
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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