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BSZ017NE2LS5I [N-通道功率MOSFET] 25V，OptiMOS? -5 MOSFET 晶體管，PG-TSDSON-8

產(chǎn)品詳情：

型號：BSZ017NE2LS5I

封裝：PG-TSDSON-8

類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管

BSZ017NE2LS5I 產(chǎn)品屬性：

系列：OptiMOS?

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：27A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.7 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 12 V

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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