商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IAUZ40N06S5N105:60V、OptiMOS? 5 汽車級MOSFET晶體管,PG-TSDSON-8
【產(chǎn)品詳情】
IAUZ40N06S5N105 適用于 60V MOSFET 的全新 OptiMOS ? 5 技術(shù)采用行業(yè)標準 S3O8(3x3 mm2)小尺寸封裝,具有領(lǐng)先的性能,可提供低 RDSon、QG 和柵極電容,并最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。
型號:IAUZ40N06S5N105
封裝:PG-TSDSON-8
類型:汽車級MOSFET晶體管
IAUZ40N06S5N105 產(chǎn)品屬性:
系列:OptiMOS? 5
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tj)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):7V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):10.5 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 13μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):16.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1099 pF @ 30 V
功率耗散(最大值):42W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8-32
封裝/外殼:8-PowerTDFN
IAUZ40N06S5N105 產(chǎn)品特性:
超越 AEC-Q101 的擴展資格
出色的熱性能
低柵極電荷和 Qrr
電流容量提高 20%
支持 PPAP 的設(shè)備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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