商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ISC015N03LF2S是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? LF系列,采用 SuperSO8(PG-TSDSON-8)封裝。該器件具有 極低導(dǎo)通電阻(RDS(on) = 1.5mΩ @ 10V VGS) 和 優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能,專為 高效率電源轉(zhuǎn)換、電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng) 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
ISC015N03LF2S 核心特性
低導(dǎo)通電阻:最大導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為 1.5 mΩ(@ VGS=10V),有助于減少功率損耗。
高電流能力:最大漏極電流(ID)可達(dá) 214A。
高雪崩能力:100% 雪崩測(cè)試,確保在過(guò)載條件下也能可靠工作。
卓越的熱性能:優(yōu)化的熱阻設(shè)計(jì),提高系統(tǒng)效率和可靠性。
邏輯電平兼容:N 通道,邏輯電平驅(qū)動(dòng),易于與現(xiàn)有電路集成。
環(huán)保特性:無(wú)鉛鍍層,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),且無(wú)鹵素。、
規(guī)格參數(shù)
型號(hào):ISC015N03LF2S
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝:SuperSO8(PG-TSDSON-8)
通道類型:N溝道增強(qiáng)型
漏源電壓(VDS): 30V
連續(xù)漏極電流(ID): 30A(Ta) / 100A(Tc)
導(dǎo)通電阻(RDS(on)): 1.5mΩ @ 10V(典型值),1.8mΩ @ 10V(最大值)
柵極電荷(Qg): 15nC @ 10V
輸入電容(Ciss): 1200pF @ 15V
柵源電壓(VGS) :±20V(最大)
閾值電壓(VGS(th)): 2V @ 250μA
功率耗散(PD): 2.5W(Ta) / 50W(Tc)
開(kāi)關(guān)時(shí)間:上升時(shí)間 < 5ns,下降時(shí)間 < 5ns
工作溫度范圍: -55°C ~ +150°C(TJ)
ISC015N03LF2S 應(yīng)用領(lǐng)域
開(kāi)關(guān)電源(SMPS):如同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動(dòng):適用于工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)汽車
服務(wù)器和通信設(shè)備:提供高效率和高可靠性
電池管理系統(tǒng):在電池管理系統(tǒng)中用于高效的充電和放電控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
10000
OptiMOS? 6 功率MOSFET,40V標(biāo)準(zhǔn)型,采用英飛凌最新技術(shù),封裝于SuperSO8封裝中
INFINEON
PG-TDSON-8
30000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 39A(Ta),58A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8-5
INFINEON
PG-TDSON-8
20000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 33A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8-6
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