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CAT25M02VI-GT3 是一款 2Mb（256K × 8）串行 EEPROM 存儲器芯片，采用 SPI（串行外設接口） 通信協(xié)議，工作頻率最高達 10MHz，封裝為 8-SOIC（3.90mm 寬）。該芯片支持 1.7V 至 5.5V 寬電壓供電，適用于低功耗和高性能存儲應用，如工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等領(lǐng)域。

CAT25M02VI-GT3 主要特性

存儲容量與架構(gòu)

2Mb（256K × 8） 存儲結(jié)構(gòu)，適用于中小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲需求。

非易失性 EEPROM，數(shù)據(jù)可保留 100年，支持 100萬次擦寫周期。

高速 SPI 接

SPI 串行接口，最高 10MHz 時鐘頻率，支持標準 SPI 模式（0,0 和 1,1）。

適用于微控制器（如 STM32、PIC、AVR）的快速數(shù)據(jù)讀寫。

寬電壓與低功耗

1.7V ~ 5.5V 工作電壓，兼容 3.3V 和 5V 系統(tǒng)。

低功耗設計，適合電池供電設備。

可靠性與耐用性

6ms 頁寫入時間，支持單字節(jié)和頁寫入（最高 256 字節(jié)/頁）。

工業(yè)級溫度范圍（-40°C ~ +85°C），適用于嚴苛環(huán)境。

封裝與供應鏈

8-SOIC（3.90mm 寬） 表面貼裝封裝，便于 PCB 設計。

提供 卷帶（TR）和剪切帶（CT） 包裝，支持批量采購。

CAT25M02VI-GT3 規(guī)格參數(shù)

存儲容量: 2 Mbit

接口類型: 3-Wire, SPI

最大時鐘頻率: 10 MHz

組織: 256 k x 8

封裝 / 箱體: SOIC-8

訪問時間: 40 ns

電源電壓-最小: 1.7 V

電源電壓-最大: 5.5 V

安裝風格: SMD/SMT

數(shù)據(jù)保留: 100 Year

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

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