DSEI36-06AS-TRL是一款快速恢復整流二極管(FRED),采用 TO-263-3(D2Pak)表面貼裝封裝,單二極管結構,專為高頻開關電源、PFC 升壓、UPS、逆變器和電機驅動等需要快速反向恢復的應用而設計。
DSEI36-06AS-TRL 特點/優(yōu)勢:
平面鈍化芯片
低漏電流
極短的恢復時間
改進的熱性能
極低的Irm值
極柔和的恢復特性
擊穿電壓額定值,確??煽窟\行
柔和的反向恢復特性,降低電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)
低Irm值可降低:
- 二極管內(nèi)的功率損耗
- 換向開關的導通損耗
DSEI36-06AS-TRL 產(chǎn)品屬性:
技術: 標準
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
電流 - 平均整流 (Io) :37A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf) :1.6 V @ 37 A
速度: 快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢復時間 (trr): 50 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏: 100 μA @ 600 V
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應商器件封裝:TO-263AA
工作溫度 - 結: -40°C ~ 150°C
DSEI36-06AS-TRL 應用:
高頻反并聯(lián)二極管
開關設備
抗飽和二極管
緩沖二極管
自由輪二極管
開關模式電源(SMPS)中的整流器
不間斷電源(UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產(chǎn)品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFH150N20T
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IXFH150N17T2是175V 150A N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFH150N17T2規(guī)格參數(shù)FET類型:N溝道工藝:MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):175 V連續(xù)漏極電流(Id) @ 25C:150A (Tc)驅動電壓(最大導通電阻,最小導通電阻):10V導通電阻(Rds On)(最大值) @ Id, Vgs:12毫歐 @…IXFP14N85XM
IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。IXYP50N65C3
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