商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:
出色的導(dǎo)通電阻
符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qgd)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素
經(jīng)過優(yōu)化的EMI表現(xiàn)( 集成的阻尼網(wǎng)絡(luò))
高效率
采用S3O8或Power Block模塊封裝的高功率密度
降低了總體系統(tǒng)成本
在高開關(guān)頻率下運(yùn)行
BSZ011NE2LS5I的性能參數(shù)
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):25 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):35A(Ta),40A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.1毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3400 pF @ 12 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8
應(yīng)用領(lǐng)域
臺式機(jī)和服務(wù)器r
單相和多相PoL
筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調(diào)節(jié)
高功率密度電壓調(diào)節(jié)器
O形環(huán)
電子保險(xiǎn)絲
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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