BSM600D12P4G103是一款由SiC-DMOSFET組成的半橋功率模塊。非常適用于電機驅動、逆變器、轉換器、光伏發(fā)電、風力發(fā)電和IH設備等應用。
BSM600D12P4G103具有以下參數：
技術：碳化硅（SiC）
配置：2 N-通道（雙）
FET 功能：-
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：567A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 291.2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：59000pF @ 10V
功率 - 最大值：1.78kW（Tc）
工作溫度：175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
型號
品牌
封裝
數量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設在日本京都市，ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產品。
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RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TSX2EHRC11
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RGA80TRX2HRC15
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RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2EHRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合…
BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅動器。特性：Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應用提供長期支持產品寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…電話咨詢：86-755-83294757
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