商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMT65R033M2H是由英飛凌(Infineon)推出的第二代 650 V CoolSiC? MOSFET 碳化硅功率器件,采用 TOLL 封裝。該器件基于 ?CoolSiC? G2 技術(shù)?,通過改進的 ?.XT 互連結(jié)構(gòu)? 降低熱阻,提升熱循環(huán)能力,突破傳統(tǒng)封裝的熱管理限制?。
IMT65R033M2H 參數(shù)
封裝 / 箱體:HSOF-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:68 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:41 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Qg-柵極電荷:34 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:312 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:4.8 ns
上升時間:9.1 ns
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:15 ns
典型接通延遲時間:8.8 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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