商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IMT65R050M2H是一款CoolSiC? 650V G2碳化硅MOSFET,采用TOLL封裝,導(dǎo)通電阻為50mΩ??。該產(chǎn)品是新一代碳化硅MOSFET,旨在利用高性能技術(shù),克服傳統(tǒng)封裝在熱循環(huán)方面的限制,并優(yōu)化.xt互聯(lián)以降低熱阻抗。
IMT65R050M2H具有出色的性能指標(biāo)(FOMs)、高可靠性和靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍,且與所有8x8 FETs引腳兼容,改進(jìn)了封裝互聯(lián),適用于需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景?。
技術(shù)規(guī)格
封裝 / 箱體:HSOF-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:48.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:62 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Qg-柵極電荷:22 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:237 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:4.4 ns
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:7.6 ns
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.5 ns
典型接通延遲時(shí)間:8.1 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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