商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMDQ65R015M2H是英飛凌(Infineon)推出的一款CoolSiC? MOSFET 650 V Generation 2產(chǎn)品,采用Q-DPAK封裝,具有頂側(cè)冷卻功能?。IMDQ65R015M2H利用第二代CoolSiC?技術(shù)的優(yōu)越開關(guān)性能,提供了頂側(cè)冷卻的優(yōu)勢,進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的整體性能。
技術(shù)規(guī)格
產(chǎn)品:IMDQ65R015M2H
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:94 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:18 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Qg-柵極電荷:79 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:499 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:6.4 ns
濕度敏感性:Yes
封裝/箱體:HDSOP-22
產(chǎn)品:SiC MOSFETS
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:14.7 ns
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns
典型接通延遲時(shí)間:11.6 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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