商品名稱(chēng):SCT10N120AG
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCT10N120AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HiP247
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
SCT10N120AG 1200V 12A 碳化硅 (SiC) MOSFET采用HiP247封裝,具有出色的開(kāi)關(guān)性能,以及極低的單位面積導(dǎo)通電阻RDS(on)性能指標(biāo),從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更緊湊的系統(tǒng)。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高溫度額定值,可改進(jìn)電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。應(yīng)用包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車(chē)充電器、高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):690 毫歐 @ 6A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):22 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):290 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):150W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:HiP247?
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào):SCT10
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
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