商品名稱:SCT3030KLGC11
數(shù)據(jù)手冊:SCT3030KLGC11.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
集成電路芯片SCT3030KLGC11碳化硅單體MOSFET晶體管通孔
產(chǎn)品屬性
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:1.2 kV
Id - 連續(xù)漏極電流:72 A
Rds On - 漏極-源極電阻: 30 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 4 V,+ 22 V
Vgs th - 柵極源閾值電壓:2.7 V
Qg - 柵極電荷: 131 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率耗散: 339 W
通道模式: 增強(qiáng)型
產(chǎn)品介紹
SCT3030KLGC11 MOSFET是在24V/36V/48V電源下工作的驅(qū)動應(yīng)用的理想選擇。
特點(diǎn)
低導(dǎo)通電阻
高功率小型封裝
無鉛鍍層
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一,總部所在地設(shè)在日本京都市,ROHM設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設(shè)備和裝置都采用了 ROHM 產(chǎn)品。
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13場截止溝道IGBT具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓、低開關(guān)損耗和短路耐受時間(5μs)的特點(diǎn)。 該IGBT可確保在高壓力條件下可靠運(yùn)行。內(nèi)置的快速軟恢復(fù)FRD提高了效率,而無鉛電鍍則確保符合RoHS規(guī)范。技術(shù)規(guī)格RGE60TS65DGC13的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:溝槽型場…SCT4062KWATL
SCT4062KWATL 是 1200 V 24A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4062KWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4062KWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動SCT4045DWATL
SCT4045DWATL 是 750 V 31A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4045DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL 是 750 V 31A 汽車 N 通道 SiC 電源 MOSFET 晶體管。SCT4045DWAHRTL 的特性符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4045DWAHRTL 的應(yīng)用汽車開關(guān)模式電源SCT4026DWATL
SCT4026DWATL 是 750V 51A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT4026DWATL 的特性低電阻快速切換速度快速逆向恢復(fù)易于并行易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)寬爬行距離 = min.4.7 mmSCT4026DWATL 的應(yīng)用太陽能逆變器直流 / 直流變換器開關(guān)模式電源感應(yīng)加熱電機(jī)驅(qū)動SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 是 1700V 3.7A N 通道 SiC 功率 MOSFET 晶體管。SCT2H12NZGC11 的特性低電阻快速切換速度長爬行距離易于駕駛無鉛鉛鉛電鍍;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)SCT2H12NZGC11 的應(yīng)用輔助電源開關(guān)模式電源電話咨詢:86-755-83294757
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