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SCT4026DRHR是一款750V、56A的Nch SiC功率MOSFET。該產品采用溝槽結構實現了更低的導通電阻，是符合AEC-Q101標準的高可靠性車規(guī)級產品。

產品屬性

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 750 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：56A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 34 毫歐 @ 29A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.8V @ 15.4mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 94 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +21V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2320 pF @ 500 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 176W  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： TO-247-4L  

封裝/外殼： TO-247-4

應用

汽車

開關模式電源

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