商品名稱:IXXX140N65B4H1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IXXX140N65B4H1.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-247
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IXXX140N65B4H1溝槽型 650V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。這些絕緣柵極雙極晶體管具有低熱阻、低能耗、快速開(kāi)關(guān)、低拖尾電流和高電流密度等特性。該器件在開(kāi)關(guān)和短路條件下具有出色的耐用性。
器件規(guī)格:
IGBT 類(lèi)型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):840 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,120A
功率 - 最大值:1200 W
開(kāi)關(guān)能量:5.75mJ(開(kāi)),2.67mJ(關(guān))
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:250 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:54ns/270ns
測(cè)試條件:400V,100A,4.7 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):105 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3 變式
供應(yīng)商器件封裝:PLUS247?-3
基本產(chǎn)品編號(hào):IXXX140
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達(dá)150 kHz的開(kāi)關(guān)能力,電流范圍為66A。高開(kāi)關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計(jì)人員提供了一種新的高價(jià)值開(kāi)關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類(lèi)型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類(lèi)型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開(kāi)發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗。其特點(diǎn)和技術(shù)規(guī)格如下:特點(diǎn)經(jīng)過(guò)優(yōu)化用于低開(kāi)關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動(dòng)要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開(kāi)發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…電話咨詢:86-755-83294757
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