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NTHL020N090SC1是一款采用全新技術(shù)的900V 碳化硅N溝道MOSFET，具有出色的開關(guān)性能和高可靠性。該功率MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。SiC功率MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如最高效率、更快工作頻率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括UPS、直流-直流轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、太陽能和電源設(shè)備。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：900 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：118A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 60A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：196 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4415 pF @ 450 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：503W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：NTHL020

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