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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡

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商品型號:IMBG65R107M1HXTMA1

商品名稱:IMBG65R107M1HXTMA1

數(shù)據(jù)手冊:IMBG65R107M1HXTMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMBG65R107M1HXTMA1
封裝
TO-263-8
描述
N-通道650V 24A(Tc) 110W(Tc) 表面貼裝型

產(chǎn)品描述

IMBG65R107M1HXTMA1是650V CoolSiC M1 SiC溝槽功率器件,SMD緊湊型封裝SiC MOSFET。


IMBG65R107M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型: N-溝道

技術: SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓(Vdss): 650 V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 24A (Tc)

驅動電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V

Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 2.6mA

柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15 nC @ 18 V

Vgs(最大): +23V,-5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 496 pF @ 400 V

功率耗散(最大): 110W (Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型: 表面貼裝

供應商器件封裝: PG-TO263-7-12

封裝/外殼:TO-263-8, D2Pak (7引線+接片), TO-263CA


IMBG65R107M1HXTMA1的特點

效率提高

高性能、高可靠性和易于使用的獨特組合

易于使用和集成

適用于具有連續(xù)硬換向的拓撲結構

更高的穩(wěn)健性和系統(tǒng)可靠性


集成電路芯片IMBG65R107M1HXTMA1 N溝道650V MOSFETs 晶體管


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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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