商品名稱:IMBG65R107M1HXTMA1
數(shù)據(jù)手冊:IMBG65R107M1HXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IMBG65R107M1HXTMA1是650V CoolSiC M1 SiC溝槽功率器件,SMD緊湊型封裝SiC MOSFET。
IMBG65R107M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性
晶體管類型: N-溝道
技術: SiCFET (碳化硅)
漏極至源極電壓(Vdss): 650 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 24A (Tc)
驅動電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 2.6mA
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15 nC @ 18 V
Vgs(最大): +23V,-5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 496 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 110W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: 表面貼裝
供應商器件封裝: PG-TO263-7-12
封裝/外殼:TO-263-8, D2Pak (7引線+接片), TO-263CA
IMBG65R107M1HXTMA1的特點
效率提高
高性能、高可靠性和易于使用的獨特組合
易于使用和集成
適用于具有連續(xù)硬換向的拓撲結構
更高的穩(wěn)健性和系統(tǒng)可靠性
集成電路芯片IMBG65R107M1HXTMA1 N溝道650V MOSFETs 晶體管
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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