商品名稱：BSZ060NE2LSATMA1
數(shù)據(jù)手冊：
BSZ060NE2LSATMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：4000 件
集成電路芯片BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN N溝道MOSFET晶體管
產(chǎn)品介紹
BSZ060NE2LSATMA1是OptiMOS? 25V MOSFET晶體管，具有半橋配置（功率級5x6）。
規(guī)格
晶體管極性： N-溝道
通道數(shù)： 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：25 V
Id - 連續(xù)漏極電流：40 A
Rds On - 漏極-源極電阻：6.5 mOhms
Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2 V
Qg - 柵極電荷： 9.1 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度： + 150 C
Pd - 功率耗散：26 W
通道模式： 增強型
特點
極低的柵極和輸出電荷
極低的導通電阻和小的封裝尺寸
在所有的負載條件下，降低了功耗，提高了效率
通過減少多相轉(zhuǎn)換中的相數(shù)來節(jié)省整體系統(tǒng)成本
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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