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功率 MOSFET IQD005N04NM6CGSC 具有 0.47 mOhm 的低 RDS(on)，同時(shí)具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對(duì)并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。

特性

最先進(jìn)的 40 V 硅技術(shù)

出色的 FOM

改進(jìn)的散熱性能

超低寄生

最大化芯片/封裝比

中心柵極基底面

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝

優(yōu)勢(shì)

最佳開關(guān)性能

傳導(dǎo)損耗最小

快速開關(guān)

降低電壓過沖

提高最大電流能力

需要并聯(lián)的器件更少

5x6 基底面上的 RDS(on)最低

易于熱管理

規(guī)格

FET 類型： N 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 57A (Ta), 597A (Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 0.49 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2.8V @ 1.449mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 163 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 12000 pF @ 20 V

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），333W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

• 4.我可以通過公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價(jià)嗎？

  答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。