商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
功率 MOSFET IQDH45N04LM6SC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率可提高五倍。
產(chǎn)品特性
最先進(jìn)的 40 V 硅技術(shù)
出色的 FOM
改進(jìn)的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS? 6
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :58A (Ta), 611A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 0.49 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 1.449mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 78 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 12000 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 3W(Ta),333W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
應(yīng)用領(lǐng)域
低壓驅(qū)動(dòng)
電動(dòng)工具
電源
服務(wù)器電源
計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
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企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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