AR0235CSSM28SMKA0-CP 是一款 1/2.8 英寸 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,有源像素陣列為 1920(H)x 1200(V)。它采用了全新的創(chuàng)新型全局快門像素設(shè)計,經(jīng)過優(yōu)化,可準(zhǔn)確、快速地捕捉移動場景。無論在弱光還是明亮的場景下,該傳感器都能生成清晰、低噪點(diǎn)的圖像。它具有復(fù)雜的相機(jī)功能,如自動曝光控制、窗口、行跳過模式、列跳過模式、像素分級以及視頻和單幀模式。它可通過簡單的兩線串行接口進(jìn)行編程。
AR0235CSSM28SMKA0-CP 的特點(diǎn)
卓越的低照度和紅外性能
8 位/10 位 MIPI、1/2/4 線 MIPI
8 位/10 位 MIPI,1/2/4 行 MIPI
自動黑電平校準(zhǔn) (ABLC)
水平和垂直鏡像、窗口和像素分檔
5x5 統(tǒng)計引擎,用于對任何可編程感興趣區(qū)域 (ROI) 進(jìn)行片上自動曝光控制
行和列跳過模式的靈活控制
用于同步的片上觸發(fā)模式
內(nèi)置閃光燈控制
兩個片上鎖相環(huán) (PLL)
上下文切換
1056 字節(jié)一次性可編程存儲器 (OTPM)
簡單的雙線快速模式 + 串行接口
AR0235CSSM28SMKA0-CP 的應(yīng)用
條形碼掃描器
工廠自動化
自主移動機(jī)器人 (AMR)
機(jī)器視覺
3D 掃描
生物識別
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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