商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
英飛凌CoolSiC? MOSFET立足于一流的溝槽半導(dǎo)體工藝,經(jīng)過優(yōu)化,可實(shí)現(xiàn)應(yīng)用中的最低損耗和運(yùn)行中的最高可靠性。CoolSiC? MOSFET分立器件系列提供400 V、650 V、1200 V、1700 V和2000 V電壓等級(jí),7 m?-1000 m?導(dǎo)通電阻范圍的產(chǎn)品。
AIMCQ120R020M1T的規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):116A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V,20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):25 毫歐 @ 43A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.1V @ 13.7mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):82 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2667 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):577W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HDSOP-22
優(yōu)勢(shì):
更低的封裝寄生效應(yīng)
更低的開關(guān)損耗
簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
優(yōu)化的PCB組件
應(yīng)用:
車載充電器
DC/DC轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…SPW35N60C3
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CY15B204QSN-108SXET是一款高性能、符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的 4 Mbit 非易失性存儲(chǔ)器,專為高可靠性汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì),支持高達(dá) 125 C 的溫度。 它配備高速、低引腳數(shù) QSPI 接口,可提供高達(dá) 432Mbits/s 的讀/寫帶寬。與串行閃存不同,它以總線速度執(zhí)行寫入作,確保無寫入延遲,…ICE5GR4780AG
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ICE5AR0680BZS是英飛凌最新一代的固定頻率 CoolSET? 產(chǎn)品,具有高性能和集成 800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7的功能?。該產(chǎn)品采用 DIP-7 封裝,符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),最大開關(guān)頻率為100kHz,適用于通用寬域輸入(85~300VAC)的 DCM 設(shè)計(jì),功率輸出高達(dá)39W。它具有過電壓保護(hù)…ICE5GR1680AG
ICE5GR1680AG 是由 Infineon 推出的一款最新第5代固定頻率 CoolSET? 控制器,集成了最新一代800V CoolMOS? 超結(jié) MOSFET P7,采用 DSO-12 封裝??。該器件具有以下主要特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):125kHz 最大開關(guān)頻率,帶有 800V 集成 MOSFET采用通用寬域輸入 (85~300VAC) DCM 設(shè)計(jì),…電話咨詢:86-755-83294757
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